快资讯 | 三星最新闪存芯片将会使旗舰手机更快

据外媒报道，三星已经开始批量生产512GB基于eUFS3.1标准的存储芯片。这些芯片已经被用于旗下的Glaxy S20 ultra,而且不久也会用于其他品牌的手机。

这个消息意味着手机的读写速度迈向新的台阶。新的的存储芯片可使顺序读写速度分别达到2100MB/S和1200MB/S.特别是顺序写速度几乎是ufs3.0的三倍。而随机读写速度也有很大的提升，分别达到了100000IOPS和70000IOPS。这对于实际应用意味着什么呢？对于三星而言，更快的存储芯片可以即刻保存8k录像，写入100G数据只需90s。

三星表示，它还在开发256GB和128GB的旗舰智能手机容量，将于今年晚些时候推出。 这意味着，即使你不选择最顶级的型号，你仍然可以期待你的手机比现在快得多。

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